平時講的氫脆為由內(nèi)氫或者外氫導致而形成的可逆氫脆，其主要特點如下：

 1. 應變速度低氫脆敏感性強，形變速度的增高導致氫脆發(fā)生的溫度范疇變窄、塑性減小、幅度變低，即氫脆不容易發(fā)生。此外，如果應變速度高于某臨界值，則氫脆不會發(fā)生。

 2. 氫脆對高強度鋼較敏感，這是由于高強度鋼在熱力學上比較不穩(wěn)定，容易發(fā)生脆化，氫脆的敏感性隨著材料屈服極限值的升高而升高。

 3. 氫脆對含氫量較敏感，鋼的氫脆臨界應力值隨著氫濃度的增加而下降，同時鋼發(fā)生氫脆的孕育期和破壞時間均隨著氫濃度的升高而縮短。

 4. 氫脆的產(chǎn)生是在某個應力范圍之內(nèi)的，即氫脆的產(chǎn)生存在一個上、下臨界應力值，其為一種延遲破壞。只有當應力在上、下臨界應力值之間時延遲破壞才會發(fā)生，其發(fā)生主要有三個階段，分別為孕育期、裂紋在應力作用下長大及失穩(wěn)斷裂。而應力低于下臨界應力值時不管時間多久都不會出現(xiàn)脆斷現(xiàn)象；當應力高于上臨界應力值時就能夠出現(xiàn)瞬時脆斷的現(xiàn)象。

 5. 溫度越高氫脆敏感性越低，即氫脆具有低脆性溫度特征。此外，氫脆的裂紋擴展具有不連續(xù)的特征，很少出現(xiàn)分支并且通常情況下很少在材料的表面形成裂紋源。

在應力影響下，氫能夠在裂紋尖端的三向應力區(qū)富集，導致材料斷裂應力減小從而造成脆性斷裂。現(xiàn)階段較為流行的氫脆機制如下：

1. 氫壓理論

  氫壓理論指出一些過飽和的氧在金屬中的一些缺陷位置（如孔隙，晶界）析出，并且H結(jié)合成H2能夠在金屬的這些缺陷處形成比較大的內(nèi)壓力，該內(nèi)壓力跟外外應力或者金屬內(nèi)部的殘余應力形成合力，當金屬的屈服極限低于這個合力時，斷裂就會發(fā)生、即氫在金屬材料缺陷處所形成的內(nèi)壓力跟外應力促進了裂紋的形成和發(fā)展，

2. 吸附氫降低表面能理論

  氫吸附在裂紋尖端時能夠?qū)е陆饘俦砻婺軠p小，進面造成金屬的斷裂應力減小，吸附氫降低表面能理論可以被用來很好地詮釋應變速率對氫脆的作用，闡明氫脆發(fā)生孕育期的存在及在較低的氫分壓條件下實驗過程中出現(xiàn)脆斷現(xiàn)象等。但是吸附氫降低表面能理論不可以用來解釋氫脆可逆性的特點，以及不可以解釋氫脆裂紋擴展具有不連續(xù)特征等。

3. 弱鍵理論

  氫在應力的作用下會在材料缺口或者裂紋尖端的三向應力區(qū)聚集，進而導致該處金屬原子鍵的結(jié)合能降低，金屬在較小的應力作用下就會發(fā)生脆性斷裂。氫能夠減弱原子鍵結(jié)合能的原因在于氫的1S電子進人到了過渡族金屬元素沒有填滿的3d帶，使得金屬3d帶電子的密集度增強，提高了金屬原子之間的排斥力、減弱了其鍵力，進而導致了金屬的脆化。但是非過渡族由于金屬元素不存在3d帶，因而該理論的缺陷在于無法解釋非過渡族金屬合金，例如，鋁合金、鎂合金等的可逆性氫脆。

4. 氫氣團釘扎理論

  氫氣團釘扎理論指出氫脆的發(fā)生是由于位錯的移動受到氫的釘扎作用導致的，同時氫與位錯之間的互相作用理論指出氫脆僅存在于在特定的溫度及形變范疇之內(nèi)。當溫度處于小于臨界溫度的條件下，Cottrell氣團能夠在含氫金屬的形變過程中產(chǎn)生。氫原子的擴散在溫度不太低但是形變速度較小的條件下能夠與位錯運動速度相適合，即Cottrell氣團在落后于位錯一定距離的情況下伴隨著位錯運動而運動，即導致位錯不能自由運動，該種情形被稱為氫對位錯移動產(chǎn)生的釘扎效應。該種效應能夠?qū)е虏牧习l(fā)生局部硬化的現(xiàn)象，新位錯在外力的影響下連續(xù)產(chǎn)生，當新位錯跟 Cottrell氣團在移動過程中碰到例如晶界等障礙時，就會在障礙處產(chǎn)生氫氣集結(jié)及位錯塞積，在應力足夠大的狀況下就會形成裂紋，并且會自此擴展以及長大。